第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体材料为代表。
其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率晶体管和探测器中，在未来一段时间，硅半导体材料的主导地位仍将存在。但是，硅材料的物理性质限制了其在光电子和高频电子器件上的应用，如其间接带隙的特点决定了它不能获得高的电光转换效率；且其带隙宽度较窄（1.12eV），饱和电子迁移率较低［1450cm 2 /（V·s）］，不利于研制高频和高功率电子器件。
第二代半导体材料以砷化镓和磷化铟（InP）为代表。
砷化镓材料的电子迁移率是硅的6倍，具有直接带隙，故其器件相对Si器件具有高频、高速的光电性能，被公认为是很合适的通信用半导体材料。同时，其在军事电子系统中的应用日益广泛且不可替代。然而，其禁带宽度范围仅涵盖了1.35eV（InP）～2.45eV（AlP），只能覆盖波长为506～918nm的红光和更长波长的光，而无法满足中短波长光电子器件的需要。由于第二代半导体材料的禁带宽度不够大，击穿电场较低，极大地限制了其在高温、高频和高功率器件领域的应用。另外，由于GaAs材料的毒性，可能引起环境污染问题，对人类健康存在潜在的威胁。
第三代半导体材料是指Ⅲ族氮化物［如氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）等］、碳化硅（SiC）、氧化物半导体［如氧化锌（ZnO）、氧化镓（Ga 2 O 3 ）、钙钛矿（CaTiO 3 ）等］和金刚石等宽禁带半导体材料。
与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，而且在高电压、高频率状态下更为可靠，此外，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。