氧化锌（ZnO）是宽禁带氧化物半导体材料的代表，也是Ⅱ～Ⅵ族宽禁带半导体的代表。

古罗马人早在公元前200年就学会用铜和含氧化锌的锌矿石来制作黄铜（铜和锌的合金）。虽然ZnO的历史非常悠久，但是其作为半导体材料却只有40多年的时间。1972年，人们在ZnO半导体中观察到了电泵浦受激发射现象，但是实现这一过程非常困难，并未得到更多的重视。

20世纪90年代之前，与ZnO同为Ⅱ～Ⅵ族半导体的硒化锌（ZnSe）一直是蓝绿光发光器件的优选材料，但是材料质量一直无法提高，使其在与GaN材料的竞争中败下阵来。与此同时，与GaN结构和性能非常接近的ZnO材料得到人们的广泛关注，而且随着MBE、MOCVD和脉冲激光沉积（PLD）等材料生长技术的进步，ZnO材料的质量显著提高，并且光和电泵浦的ZnO室温激射已被相当多的研究组所报道，这使得ZnO在紫外光电子器件方面具有很好的应用前景。

但ZnO的光电子器件应用依然面临着巨大的技术困难，其中高质量ZnO的p型掺杂是其中最主要的技术难点，也是目前制约ZnO半导体材料进一步发展的主要障碍。