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Ⅲ族氮化物半导体材料的结构性质及应用

Ⅲ族氮化物半导体材料存在三种晶体结构,分别为纤锌矿结构、闪锌矿结构和岩盐矿结构。其中,纤锌矿结构是Ⅲ族氮化物的热力学稳定结构;闪锌矿结构是一种亚稳态结构,可以稳定地存在于立方相衬底上生长的薄膜中;岩盐矿结构可以在非常高的压力下生长得到。其中纤锌矿结构的Ⅲ族氮化物由于金属和N的共价键具有更强的离子性,晶格中存在较强的压电极化效应,也就产生了晶格中所谓的极性面和非极性面。目前非极性面的材料生长是Ⅲ族氮化物材料的研究热点。同时,利用压电极化效应可以产生非常高的二维电子气(2DEG)浓度 [2] ,可用于制造诸如AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管等电子器件。

Ⅲ族氮化物材料是由ⅢA族元素铟(In)、镓(Ga)、铝(Al)与氮(N)元素组成的包括InN、GaN、AlN、InGaN、InAlN、AlGaN、AlInGaN等合金的半导体材料。Ⅲ族氮化物材料的禁带宽度可以由InN的0.63eV到GaN的3.40eV再到AlN的6.28eV。这一禁带宽度覆盖了197~1610nm的光谱,从红外光波段跨过可见光波段,一直延伸至深紫外光波段,所以,Ⅲ族氮化物材料是发展光电子,特别是短波长光电子器件的优选材料,尤其是InGaN/GaN基蓝光和绿光LED已经在半导体照明与显示中发挥着举足轻重的作用。可以说,第三代半导体材料最重要的应用代表就是蓝光LED发射,进而引发LED白光照明。

基于氮化物LEDs的半导体照明技术具有高效节能、长使用寿命、宽光谱、智能化等特点,是继白炽灯、荧光灯之后照明光源的又一次革命。基于氮化物LEDs光源是理想的绿色照明光源(效率高、使用寿命长、安全和性能稳定)。在半导体照明技术还未兴起之时,全球17%~20%的用电量被照明所消耗,这主要源于传统照明光源的高能耗,尤其是发光效率过低的白炽灯。采用发光二极管作为光源,理论上能耗相当于白炽灯的10%左右,荧光灯的50%。2003年6月,我国正式启动了“国家半导体照明工程”,把半导体照明工程作为一个重大工程进行推动。预计到2020年,我国半导体照明产业规模将超过1.6万亿元(数据来源:国家半导体照明工程研发及产业联盟)。

除了LED作为光源的应用之外,氮化物基激光器也是光电子领域的重要应用之一。氮化物蓝光激光器可以用于水下通信,绿色激光器是局域网通信和水下探测的关键光源,紫外光激光器在高密度储存、空气和水净化、精密光刻、印刷和检测、空间紫外通信(非视距传输)、化学传感等方面有很大的潜在的应用。Ⅲ族氮化物异质结构界面可形成高浓度2DEG系统,成为至今能提供最高2DEG浓度的半导体材料体系,为高性能电子器件的研制奠定了材料基础。

在军事国防应用领域,GaN基微波功率器件可用于有源相控雷达、电子对抗、导弹和无线电通信等方面;在民用商业应用领域,GaN基微波功率器件可用于无线基础设施(基站)、卫星通信、有线电视和功率电子等方面。GaN基电力电子器件具备比传统器件低至近千分之一的导通电阻、高几十倍的开关速度。可以将电源的损耗降低到使用传统器件的1/10,给社会节省大量的电能 [3,4] 

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