基于GaN材料体系的光电子器件的产业化已经在世界上取得了重大进展。GaN基LED器件具有高效节能、长使用寿命、宽光谱、智能化等特点，是继白炽灯、荧光灯之后照明光源的又一次革命，为解决日益严峻的能源和环境问题提供了重要途径，被各国公认为最有发展前景的战略性新兴产业之一。而氮化物半导体激光器二极管在高密度信息存储、激光显示、水下、塑料光纤通信、生物医学等民用和军用领域都有重要而广泛的应用，是光电子产业的龙头产品。

由于Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙，优异的物理、化学稳定性，高饱和电子漂移速率，高击穿场强等优越性能，因此该材料体系是发展高频、高温、高功率电子器件的最优选材料。GaN基微波功率器件在军事国防应用领域，可应用于有源相控雷达、电子对抗、导弹和无线电通信等方面；在民用商业应用领域，可应用于无线通信基础设施（基站）、卫星通信、有线电视和功率电子等方面。GaN基电力电子器件具备比传统器件低至近千分之一的导通电阻、高几十倍的开关速度，可以将电源的损耗降低至使用传统器件1/10，给社会节省大量的电能。因此在IT与消费类电子产品、光伏领域和电动/混合动力汽车等领域得到了广泛的应用。