晶体的线缺陷表现为各种类型的位错。位错对晶体的生长、相变、塑性变形、断裂等物理、化学性质具有重要影响。

位错概念是在对晶体强度作了一系列的理论计算，发现所计算的理论强度与实际强度有很大差别的基础上提出来的。按照理想晶体的模型，晶体在滑移时，滑移面上各个原子在切应力作用下，同时克服相邻滑移面上原子的作用力前进一个原子间距，完成这一过程所需的切应力就相当于晶体的理论屈服强度，估算值为G／30，G为切变模量。但由实验测得的实际晶体的屈服强度要比这一数值低3～4个数量级。例如，Cu单晶体的理论剪切屈服强度约为1540MPa，但它实际的屈服强度仅为1MPa，两者相差巨大。

晶体的实际强度与理论强度之间的巨大差异，使人们对理想晶体模型及其滑移方式产生怀疑，认识到晶体中原子排列绝非完全规则，滑移也不是两个原子面之间集体的相对移动，晶体内部一定存在着很多缺陷，即薄弱环节，使得塑性变形过程在很低的应力下就开始进行。

1934年，泰勒（G. I. Taylor）、波朗依（M. Polanyi）和奥罗万（E. Orowan）三人几乎同时提出了位错的概念。位错作为一种晶体缺陷被提出之后，在相当长的一段时期中仅停留在理论的分析上，未能以实验直接证明它的存在。直到20世纪50年代，随着电子显微技术的发展，位错的存在才被证实。从此，位错理论的发展进入了一个与实验结合的新阶段。