在实际晶体中经常含有大量的位错，如图1.36所示。晶体中所含位错的多少可用位错密度来表示，通常把单位体积晶体中所含位错线的总长度称为位错密度（m ^-2 ），其表达式为

式中，L为该晶体中位错线的总长度；V为晶体体积。

为简便起见，把晶体中的位错线视为一些直线，这些直线从晶体的一端延伸到另一端。因而，位错密度的另一个定义：穿过单位截面的位错线数目，其单位也是m ^-2 。此时，位错密度的表达式为

式中，S为截面积；n为穿过面积S的位错线数目。

实际上并不是所有的位错线都和观察面相交，故ρ _V ＞ρ _S 。

晶体中的位错是在凝固、冷却及其他加工工艺中自然引入的，因而常规方法生产的金属都含有大量的位错。即使对于经过仔细控制其生长过程的超纯金属单晶体，内部的位错密度也可达10 ⁹ ～10 ¹⁰ /m ² ，即10 ³ ～10 ⁴ m/cm ³ ，相当于体积为1cm ³ 的金属中位错线的总长度为1～10km。由于这些位错的存在使实际晶体的强度远低于理想晶体。金属经过剧烈冷变形后，内部的位错密度大大升高，可达10 ¹⁴ ～10 ¹⁶ /m ² ，此时金属的强度反而大幅度升高，这是由于位错数量增加到一定程度之后，位错之间相互缠结，使得位错运动难以进行。