氢脆的产生可归结为裂纹源缺陷（如晶界、共格及非共格沉淀，位错缠结，微孔等）所捕获的氢量C _T 与引起此类缺陷开裂的临界氢浓度C _cr 之间的关系。当C _T ＜C _cr 时，材料不会开裂；当C _T ＝C _cr 时，开始氢裂，C _T ＞C _cr 时，裂纹扩展。减小氢脆敏感性的途径在于提高C _cr 和降低C _T ，因此凡是可以提高C _cr 和降低C _T 的措施均可以减轻氢脆的敏感性。

1．降低C _T 的途径

要降低C _T ，必须减少内氢和限制外氢进入金属。

（1）减少内氢。改进冶炼、热处理、焊接、电镀、酸洗等工艺条件可以减少内氢，也可对含氢材料进行脱氢处理。为降低C _T ，可通过添加陷阱使氢浓度均匀，以降低局部氢浓度。但这些陷阱必须本身具有较高的C _cr ，否则会在这些地方首先引发裂纹。其次添加陷阱数量要足够多，且具有不可逆陷阱的作用，而且均匀分布在金属基体中。能满足这些条件的陷阱很多。例如，原子级尺寸的陷阱（以溶质原子形式存在）有Sc、In、Ca、Ta、K、Nd等，碳化物和氮化物形成元素（以化合物形式存在）如Ti、V、Zr、Nb、Al、B、Th等。但应注意，加入这些元素还应综合考虑对材料其他性能的影响。

（2）限制外氢进入金属。这主要从建立障碍和降低外氢的活性入手。利用物理、化学、电化学、冶金等方法在基体上施以镀层，此镀层应具有低的氢扩散性和溶解度，从而构成氢进入金属的直接障碍。例如，Cu、W等金属覆盖层，或经表面热处理而生成的致密的氧化膜。有时可涂覆有机涂料或衬上橡皮或塑料材料，防止金属与氢或致氢介质接触，起到隔离作用。

2．提高C _cr 的途径

提高C _cr 主要通过控制材料的组织来实现。

1）晶界

通过改进熔炼及热处理，减少杂质含量，消除偏析，对提高晶界的C _cr 是有益的。细化晶粒使晶界表面积增大，细晶界较为致密，结合力强，可提高C _cr 。

2）控制夹杂物及碳化物

控制有害夹杂物（如硫化物、氧化物）以及碳化物的类型、数量、形状、尺寸和分布可以提高C _cr 。例如，球状MnS夹杂较带状夹杂的C _cr 高。

3）位错

位错是一种特殊的陷阱。可动位错能够在塑性变形情况下载氢运动，与第二相质点相遇造成该处氢过饱和，是不利的。适当的变形、表面处理造成高密度静位错，虽然位错密度增加，但它们可以分摊氢原子，降低C _T 。

4）显微组织

一般认为，热力学稳定性高的组织发生氢脆敏感性小，如奥氏体不锈钢较铁素体不锈钢结构更耐氢脆，可能与奥氏体结构中氢的溶解度较高、扩散系数较低、C _cr 较高有关。

除提高C _cr 和降低C _T 外，降低和消除应力也非常重要，因为在应力存在下，氢发生应力诱导扩散，向三向拉应力区富集。设计时应避免或减小局部应力集中。在加工、制造、装配中尽量避免产生较大的残余应力，或者采用退火等方法消除残余应力。