EPROM、EEPROM与快闪存储器的区别
EPROM、EEPROM和快闪存储器都是可编程存储器,存储单元均是由浮栅型场效应管构成的,写入和擦除操作均是通过浮栅的带电与否来实现的。
EPROM是光擦除可编程存储器。利用高压使浮栅带电实现对芯片的写入,使用紫外线照射一定时间以消除浮栅上的电荷,使其不带电,从而实现对芯片的擦除。
EEPROM是电擦除可编程存储器。利用高压使浮栅的带电和不带电实现对芯片的写入和擦除,与EPROM不同之处是:可直接用电信号进行擦除,无须紫外线。
快闪存储器也是电擦除可编程存储器。利用热电子注入,使浮栅带电实现写入,利用高压下的隧道效应,使浮栅不带电实现擦除。与EPROM和EEPROM不同的是,擦除时候必须是整块擦除,具体块的大小依芯片的不同而不一样。