EPROM、EEPROM与快闪存储器的区别
EPROM、EEPROM和快闪存储器都是可编程存储器，存储单元均是由浮栅型场效应管构成的，写入和擦除操作均是通过浮栅的带电与否来实现的。
EPROM是光擦除可编程存储器。利用高压使浮栅带电实现对芯片的写入，使用紫外线照射一定时间以消除浮栅上的电荷，使其不带电，从而实现对芯片的擦除。
EEPROM是电擦除可编程存储器。利用高压使浮栅的带电和不带电实现对芯片的写入和擦除，与EPROM不同之处是：可直接用电信号进行擦除，无须紫外线。
快闪存储器也是电擦除可编程存储器。利用热电子注入，使浮栅带电实现写入，利用高压下的隧道效应，使浮栅不带电实现擦除。与EPROM和EEPROM不同的是，擦除时候必须是整块擦除，具体块的大小依芯片的不同而不一样。