可编程存储器EPROM的结构与编程原理

可编程存储器EPROM的结构与编程原理

EPROM是采用浮栅技术生产的可编程存储器,它的存储单元多采用N沟道叠栅MOS(SIMOS),除控制栅外,还有一个没有外引线的栅极,就是浮栅。当浮栅上没有电荷时给控制栅加上控制电压,MOS管导通;而当浮栅上带有负电荷时,则衬底表面感应的是正电荷,这使得MOS管的开启电压变高,如果给控制栅加上同样的控制电压,MOS管仍处于截止状态,从而SIMOS管可以利用浮栅是否积累有负电荷来存储二值数据。

在写入数据前,浮栅是不带电的,要使浮栅带负电荷,必须在SIMOS管的漏/栅极加上足够高的电压(如25V),使漏极及衬底之间的PN结反向击穿,从而产生大量的高能电子。这些电子穿过很薄的氧化绝缘层堆积在浮栅上,从而使浮栅带有负电荷。当移去外加电压后,浮栅上的电子由于没有放电回路,所以能够长期保存。当用紫外线或X射线照射时,浮栅上的电子形成光电流而泄放,从而恢复写入前的状态。

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