可编程存储器EPROM的结构与编程原理
EPROM是采用浮栅技术生产的可编程存储器，它的存储单元多采用N沟道叠栅MOS（SIMOS），除控制栅外，还有一个没有外引线的栅极，就是浮栅。当浮栅上没有电荷时给控制栅加上控制电压，MOS管导通；而当浮栅上带有负电荷时，则衬底表面感应的是正电荷，这使得MOS管的开启电压变高，如果给控制栅加上同样的控制电压，MOS管仍处于截止状态，从而SIMOS管可以利用浮栅是否积累有负电荷来存储二值数据。
在写入数据前，浮栅是不带电的，要使浮栅带负电荷，必须在SIMOS管的漏/栅极加上足够高的电压（如25V），使漏极及衬底之间的PN结反向击穿，从而产生大量的高能电子。这些电子穿过很薄的氧化绝缘层堆积在浮栅上，从而使浮栅带有负电荷。当移去外加电压后，浮栅上的电子由于没有放电回路，所以能够长期保存。当用紫外线或X射线照射时，浮栅上的电子形成光电流而泄放，从而恢复写入前的状态。