在实际操作中，当沉淀从溶液中析出时，或多或少地会夹杂溶液中的其他组分，使沉淀不纯，其中主要有两种干扰方式，即共沉淀和后沉淀。

1.共沉淀 

产生共沉淀的原因主要有表面吸附、形成混晶和吸留。

（1）表面吸附共沉淀表面有剩余电荷，吸附构晶离子，形成吸附层，再吸附相反电荷离子（称抗衡离子），形成扩散层，组成了双电层。

1）吸附规律：

第一吸附层：优先吸附构晶离子。

第二吸附层：①与构晶离子形成溶解度、离解度最小的化合物。②离子浓度越大，越易被吸附。③离子电荷高的优先吸附。

2）影响因素：①颗粒小，比表面积大，吸附杂质多。②吸附是放热过程，温度升高，吸附杂质量减少。

3）防止：洗涤。

（2）混晶或固溶体与构晶离子半径相近，形成的晶体结构相近的离子代替构晶离子形成混晶，不能洗去，应在沉淀前进行分离。

（3）吸留和包夹表面吸附的抗衡离子在沉淀生长时被覆盖包藏在里面不能洗去，陈化可减小，严重时，需重沉淀。

2.后沉淀 

当沉淀析出后，与母液一起放置的过程中，溶液中的杂质离子会慢慢地在沉淀表面上沉积，这种现象称为后沉淀。

避免或减少继沉淀的主要方法是缩短沉淀和母液共置时间。

3.提高沉淀纯度的措施 

为减少因共沉淀和后沉淀造成的影响，可以采取以下措施：

（1）选择适当的沉淀步骤。测少量组分含量时，首先沉淀含量少的组分。

（2）降低易被吸附的杂质离子的浓度。必要时应预先分离除去或掩蔽。

（3）选择适当的沉淀剂。选用有机沉淀剂可有效减少共沉淀。

（4）再沉淀。有效减小吸留或包埋的共沉淀及后沉淀现象。