图2-3所示为二极管的伏安特性，即二极管两端的电压和流过二极管的电流的关系曲线。由图中可见，它有正向特性和反向特性两部分。

图2-3 二极管的伏安特性

1.正向特性

当二极管承受的正向电压很低时，外电场不足以克服内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流 I _F 很小，几乎为零。这一段所对应的电压称为死区电压或阈值电压。通常，硅二极管的死区电压约为0.5V，锗二极管的死区电压约0.2V。当正向电压大于死区电压后，PN结的内电场被大大削弱，正向电流迅速增大，而正向电阻变得很小。二极管充分导通后，其特性曲线很陡，二极管两端电压几乎恒定，该电压称为二极管的正向导通电压 U _F 。硅二极管的 U _F 约为0.7V，锗二极管的 U _F 约为0.3V。

2.反向特性

二极管两端加反向电压时，外电场方向和内电场方向一致，只有少数载流子的漂移运动，形成很小的反向漏电流。由于少数载流子数目很少，在相当大的反向电压范围内，反向电流几乎恒定，故称为反向饱和电流 I _R 。正常情况下，硅二极管的 I _R 在几μA以下，锗二极管的 I _R 较大，一般在几十至几百μA。