晶体管的特性曲线反映了晶体管各极电压与电流之间的关系，是分析晶体管相关电路的重要依据。最常用的是共发射极接法时的输入特性曲线和输出特性曲线。特性曲线可用晶体管图示仪直观地显示出来，也可用实验电路进行测绘。
输入特性曲线是当集电极与发射极之间的电压 U CE 保持不变时，基极电流与基-射极电压之间的关系，即
其特性曲线如图2-22所示。
当 U CE ≥1V时，晶体管处于放大状态，基极电流的变化主要受 U BE 的控制，而 U CE 对 I B 的影响则很小，所以 U CE ≥1V以后的输入特性基本上是重合的。
晶体管的输入特性和二极管的伏安特性相似，也有一段死区，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.2V。当发射结外加电压大于死区电压时，晶体管才完全进入放大状态。在正常工作情况下，硅管发射结的正向电压降约为0.7V，锗管发射结的正向电压降约为0.3V。
图2-22 晶体管输入特性曲线