式（2.2）说明了整体成品率与致命性缺陷密度、芯片尺寸以及工艺流程的关系。
式中， Y 表示整体成品率， D 表示致命性缺陷密度， A 为芯片面积，而 n 则代表制造步骤，由式（2.2）可以看出，如果要达到100%的成品率，每道工艺步骤的致命性缺陷密度必须为零。对于同样的缺陷密度和芯片尺寸，工艺的步骤越多，成品率就越低。同时可以看出在相同的缺陷密度条件下，芯片尺寸越大，成品率也越低（如图2.3所示）。
图2.3 晶粒尺寸与晶粒成品率的关系
式（2.2）假设每道工艺步骤的缺陷密度一样，这显然太过简单，可是却能对缺陷与成品率之间的关系提供一个简单的说明。参考文献［1］给出了更详细的模型。
某些晶圆产品设计了附加的测试晶粒，晶圆处理过程中晶体管和测试电路做在一起，如图2.4（a）所示。由于技术的进步和图形尺寸的缩小，测试结构（如元器件和电路）可以做在晶粒间的切割道上以节省硅晶圆的面积，如图2.4（b）所示。全部晶圆处理过程的测试都在这些结构上进行以确保成品率，如果测试的结果确认大多数元器件和电路与设计的要求不符，晶圆制造就会停止，整批的晶圆就可能全部报废，直到找出解决问题的方法并将问题解决了才能恢复生产。
图2.4 （a）带有测试晶粒的晶圆；（b）测试结构在切割道上