数字集成电路的特点
1.TTL器件的特点
(1)输入端有钳位二极管,可以减少反射干扰的影响。
(2)输出电阻低,增强了带容性负载的能力。
(3)具有较大的噪声容限。
(4)采用+5V的电源供电。
2.TTL器件使用注意事项
(1)电源电压应严格保持在5V±10%的范围内,使用时,应特别注意电源与地线不能接错。另外,实验器材可能同时接有正负电源,正负电源接错也会导致电流过大而造成器件损坏。
(2)多余输入端最好不要悬空,TTL器件悬空相当于高电平,悬空必须考虑其对电路逻辑态的影响,而且悬空容易受到干扰,应对其进行处理。与门、与非门多余输入端可直接接到高电平上,或通过一个几千欧姆的电阻连接到电源上。若前级驱动能力强,还可以将多余输入端与使用端并接;不用的或门、或非门输入端直接接地,与或非门中不用的与门输入端至少有一个要直接接地;带有扩展端的门电路,其扩展端不允许直接接电源。若输入端通过电阻接地,那么电阻值 R 的大小将直接影响电路所处的状态。当 R ≤680Ω时,输入端相当于逻辑“0”;当 R ≥4.7kΩ时,输入端相当于逻辑“1”。不同系列的器件要求的阻值不同。
(3)输出端不允许直接接电源或接地,有时为了使后级电路获得较高的输出电平,允许输出端通过电阻 R 接电源,一般取 R =3~5kΩ;除集电极开路门和三态门外,不允许直接并联使用。
(4)应考虑电路的负载能力(即扇出系数),要留有余地,以免影响电路的正常工作。扇出系数可通过查阅同系列的器件手册或计算获得。
(5)在高频工作时,应采取缩短引线、屏蔽干扰源等措施,抑制电流的尖峰干扰。
3.CMOS器件的特点
(1)静态功耗非常低。电源电压 V DD =+5V的中规模电路的静态功耗小于100μW,有利于提高集成度和封装密度,降低成本,减小电源功耗。
(2)电源电压范围比较宽。电压范围是+3~+18V(不同型号有所不同),从而使电源的选择余地大,电源设计要求低。
(3)输入阻抗很高。正常工作的CMOS器件,直流输入阻抗可大于100MΩ,在工作频率较高时,要注意考虑输入电容的影响。
(4)扇出能力较强。在低频工作时,一个输出端可驱动超过50个的CMOS器件的输入端,原因是CMOS器件的输入电阻高。
(5)抗干扰能力比较强。CMOS器件的电压噪声容限可达电源电压的45%,而且高电平和低电平的噪声容限值基本相等。
(6)与TTL器件相比,一般CMOS器件的工作速度比TTL器件低,功率随工作频率的升高而显著增大。
4.CMOS器件使用注意事项
(1)电源连接和选择: V DD 端接电源正极, V SS 端接电源负极(地)。绝对不可接错,否则器件会因电流过大而损坏。对于电源电压范围为3~18V的器件,如CC4000系列,实验中 V DD 端通常接+5V电源。 V DD 电压选在电源变化范围的中间值,例如电源电压在+8~+12V之间变化,则选择 V DD =+10V较恰当。CMOS器件在不同的 V DD 值下工作时,其输出阻抗、工作速度和功耗等参数都有所变化。
(2)输入端处理:多余输入端不能悬空。应按逻辑要求接 V DD 或 V SS 。对于安装在印刷电路板上的CMOS器件,为了避免输入端悬空,应在电路板的输入端接入限流电阻 R p 和保护电阻 R 。当 V DD =+5V时, R p 取5.1kΩ, R 一般取100k~1MΩ。
(3)输出端处理:输出端不允许直接接 V DD 或 V SS ,否则器件会损坏。除三态器件可与输出端并联使用外,不允许两个不同芯片输出端并联使用,同一芯片上的输出端可以并联。
(4)当器件 V DD 端未接通电源时,不允许信号输入,否则会使输入端保护电路中的二极管损坏。
(5)CMOS器件的输入端和 V SS 端之间接有保护二极管,除了电平变换器等一些接口电路外,输入端和正电源 V DD 端之间也接有保护二极管。因此,在正常运转和焊接CMOS器件时,一般不会因感应电荷而损坏器件。但是,在使用CMOS器件时,输入信号的低电平不能低于( V SS -0.5V),除某些接口电路外,输入信号的高电平不得高于( V DD +0.5V),否则可能引起保护二极管导通甚至损坏,进而可能导致输入级损坏。