集成电路自发明以来已经得到迅速发展，之前集成电路制造技术的发展符合摩尔定律。

然而，半导体技术进步的实际推动力并不是所谓的“摩尔定律”，而是“超摩尔定律（利润）”。

通过缩小特征尺寸，可以在同一个晶圆上制造更多的芯片，或将更多的元器件制造在同一个芯片上。通过减小器件的特征长度，可以提高器件工作速度、降低功耗并提高器件的性能。因此，通过利用新的技术降低器件最小特征尺寸可以减少制造成本，提高利润，增加企业的竞争力。

当研发的成本通过缩小特征尺寸调整时，IC制造商有很大的兴趣投资大量资金发展新技术并促使器件特征尺寸继续减小。五十多年来，IC技术在摩尔定律推动下应用得很好。

然而，当IC技术节点达到纳米尺度时，简单地缩小最小特征尺寸并不能使器件性能进一步提高，这是由于栅介质的漏电，解决这个问题需要高 k 介质栅和多层金属技术。

在纳米技术时代，研究和发展所需的设计成本成倍增加。对于45nm技术，已经有一些公司不能单独负担起15亿美元的研发费用。

当器件特征尺寸缩小到32nm/28nm、22nm/20nm、14nm或更小节点时，只有很少的IC制造商能完全负担起研发费用。

在可以预见的将来，摩尔定律将变成历史，IC制造技术的发展将通过新摩尔定律（或超摩尔定律）引导。半导体产业将成为一个如汽车行业一样成熟的行业，技术将以一个较为适度的速度继续发展。