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什么是集成电路发展节点

技术节点(如45nm、40nm、32nm、28nm、22nm、20nm等)不能作为器件的最小特征尺寸。技术节点被定义为密集图形的半间距,图1.12所示为图形特征尺寸与图形间距和半间距的关系。虽然可以相对容易地降低特征尺寸,如调整光刻胶可以显著降低关键尺寸(CD)的光刻胶图形,如图1.12(b)所示,但并不容易减少图形间距。为了减小图形间距,需要提升图形化技术,包括光刻和刻蚀工艺。

图1.12 图形特征尺寸与图形间距和半间距的关系。(a)初始光刻胶图形;(b)修正后的光刻胶图形。虽然通过修正后的工艺使特征尺寸减小,但图形间距不变

不同的IC器件,技术节点和图形间距的关系不同。例如,对于NAND闪存器件,没有栅极之间的接触,技术节点定义为栅极图形的半间距。因此,一个20nm的NAND闪存芯片具有20nm栅极图形半间距。对于具有栅极接触的逻辑IC器件,技术节点通常是栅极间距的1/4。例如,一个20nm逻辑器件通常具有80nm的栅极间距。

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