技术节点（如45nm、40nm、32nm、28nm、22nm、20nm等）不能作为器件的最小特征尺寸。技术节点被定义为密集图形的半间距，图1.12所示为图形特征尺寸与图形间距和半间距的关系。虽然可以相对容易地降低特征尺寸，如调整光刻胶可以显著降低关键尺寸（CD）的光刻胶图形，如图1.12（b）所示，但并不容易减少图形间距。为了减小图形间距，需要提升图形化技术，包括光刻和刻蚀工艺。
图1.12 图形特征尺寸与图形间距和半间距的关系。（a）初始光刻胶图形；（b）修正后的光刻胶图形。虽然通过修正后的工艺使特征尺寸减小，但图形间距不变
不同的IC器件，技术节点和图形间距的关系不同。例如，对于NAND闪存器件，没有栅极之间的接触，技术节点定义为栅极图形的半间距。因此，一个20nm的NAND闪存芯片具有20nm栅极图形半间距。对于具有栅极接触的逻辑IC器件，技术节点通常是栅极间距的1/4。例如，一个20nm逻辑器件通常具有80nm的栅极间距。